发明名称 |
一种去除硅中硼元素的方法 |
摘要 |
一种去除硅中硼元素的方法,涉及半导体材料领域。本发明的方法是利用硅合金特性,将硅和液态时可溶解硼的金属按比例混合真空熔炼,定向凝固,缓慢冷却,待硅凝固而金属未凝固时,将液态金属倒出,溶于金属的硼也随着倒出。由于本发明采用了可溶解硼的金属对硅中的杂质进行稀释,本发明的方法可以有效降低硅中杂质含量,特别是硼杂质含量,可以将固体硅中的B含量下降到70%以上。 |
申请公布号 |
CN101863476A |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN200910111524.7 |
申请日期 |
2009.04.17 |
申请人 |
南安市三晶阳光电力有限公司 |
发明人 |
郑智雄;张伟娜;胡满根;戴文伟 |
分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
主分类号 |
C01B33/037(2006.01)I |
代理机构 |
厦门市首创君合专利事务所有限公司 35204 |
代理人 |
张松亭 |
主权项 |
一种去除硅中硼元素的方法,其步骤为:步骤1:将多晶硅重量份45-55和液态时可溶解硼的金属或合金重量份45-55放入高纯石墨坩埚中;步骤2:炉内抽真空后,通入惰性气体;步骤3:升温至硅与金属的熔点上,保温至少1h;步骤4:开启温度控制,降温至硅与金属的熔点下,定向凝固,以0.01-0.05℃/h逐步冷却,使坩埚中的硅、铝及硅铝合金充分分凝;步骤5:硅结晶过程结束后,将液态铝倒出。 |
地址 |
362000 中国福建省南安市霞美镇光电信息产业基地 |