| 发明名称 |
Method of making a semiconductor device having a voltage withstanding PMOSFET semiconductor structure and an NMOSFET semiconductor structure |
| 摘要 |
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| 申请公布号 |
EP1670052(B1) |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
| 申请号 |
EP20040029015 |
申请日期 |
2004.12.08 |
| 申请人 |
PREMA SEMICONDUCTOR GMBH |
发明人 |
GRUETZEDIEK HARTMUT DR.;SCHEERER JOACHIM DR. |
| 分类号 |
H01L21/8238;H01L21/225;H01L21/266;H01L21/336;H01L21/761;H01L27/092;H01L29/10;H01L29/78 |
主分类号 |
H01L21/8238 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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