一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法

摘要

本发明提供一种薄膜晶体管阵列基板、显示器及其制造方法。该TFT阵列基板包括至少两个拼接区域，各拼接区域内TFT图案中的漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包述漏极与主栅极区形成的主重叠区，和漏极与补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内主重叠区和补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。通过改变各拼接区域中TFT图案的栅极金属层和漏极的图案，保证了各拼接区域中漏极与下层的栅极金属层形成的重叠区域面积相差不大，减弱了现有技术中各拼接区域内TFT图案对应的显示亮度的差异。

主权项

一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，包括至少两个拼接区域，各拼接区域内的薄膜晶体管TFT图案中，漏极与栅极金属层均形成重叠区域，至少一个拼接区域内的TFT图案中，栅极金属层包括主栅极区和补偿栅极区，漏极与所述栅极金属层形成的重叠区域包括所述漏极与所述主栅极区形成的主重叠区，和所述漏极与所述补偿栅极区形成的补偿重叠区，所述拼接区域内所述主重叠区和所述补偿重叠区的面积之和与其它拼接区域中的重叠区域的面积的差值小于阈值。