| 发明名称 | CMOS图像传感器的制造方法 | ||
| 摘要 | 一种CMOS图像传感器的制造方法，包括，提供像素单元版图；所述像素单元版图包括光电二极管有源区，晶体管有源区，晶体管栅极区。对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正，得到修正栅极区后的像素单元版图。根据修正栅极区后的像素单元版图对原始版图进行优化，所述优化的像素单元版图的光电二极管有源区面积大于所述像素单元版图的光电二极管有源区面积。根据优化后的像素单元版图制备像素单元。本发明制备得到的CMOS图像传感器满足器件工艺参数并且填充因子高，有效地提高CMOS图像传感器的图像质量。 | ||
| 申请公布号 | CN101866883A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910049562.4 | 申请日期 | 2009.04.17 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 罗飞;邹立 |
| 分类号 | H01L21/8238(2006.01)I;H01L21/027(2006.01)I;H01L27/146(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/8238(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 李丽 |
| 主权项 | 一种CMOS图像传感器的制造方法，其特征在于，包括：提供像素单元版图；所述像素单元版图包括光电二极管有源区，晶体管有源区，晶体管栅极区；对所述版图的晶体管栅极区进行手动光学邻近修正，得到修正栅极区后的像素单元版图；根据修正栅极区后的像素单元版图对光电二极管有源区和晶体管栅极区进行优化，所述优化的像素单元版图的光电二极管有源区面积大于所述像素单元版图的光电二极管有源区面积；根据优化后的像素单元版图制备像素单元。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||