| 发明名称 | 三极管及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种三极管制造方法，包括如下步骤：将芯片焊接在框架引脚厚度为0.36-0.44mm框架上；将键合丝键合连接所述芯片与框架的引脚；使用塑封料进行塑封成型保护。上述三极管制造方法通过减少框架厚度，实现节约材料以降低物料成本，同时降低了产品的重量，使单个产品的运输费用降低。此外，还提供了一种三极管。 | ||
| 申请公布号 | CN101404261B | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200810217112.7 | 申请日期 | 2008.10.28 |
| 申请人 | 深圳市晶导电子有限公司 | 发明人 | 高燕辉;刘谋迪;李忠 |
| 分类号 | H01L21/50(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I;H01L21/607(2006.01)I;H01L23/495(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/50(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 曾旻辉 |
| 主权项 | 一种三极管制造方法，其特征在于，包括如下步骤：将芯片焊接在框架引脚厚度为0.36-0.44mm框架上；将键合丝键合连接所述芯片与框架的引脚，所述键合丝与芯片接触时的超声功率为177-492mW，接触压力为70-130g；所述键合丝与芯片焊接过程中的超声功率为177-492mW，焊接过程中焊头施加的压力为100-170g；使用塑封料进行塑封成型保护。 | ||
| 地址 | 518101 广东省深圳市宝安区新安街道留仙二路鸿辉工业园3号厂房1－4层 | ||