| 发明名称 | 浅沟槽隔离结构的制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：在半导体基底材料上形成所述浅沟槽；在所述浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；在所述浅沟槽中填入绝缘介质；进行退火处理；对所述绝缘介质表面进行研磨使浅沟槽表面平坦化。本发明在保证产品良率的前提下，减少了一步退火的过程，不但节约了制作成本，而且也减少了产品制作的时间，提高了工作效率。 | ||
| 申请公布号 | CN101866872A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910049287.6 | 申请日期 | 2009.04.14 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 发明人 | 孙昌;王艳生;廖奇泊;钱俊;朱赛亚 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;H01L21/3105(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 浅沟槽隔离结构的制作方法，包括：S1：在半导体基底上形成所述浅沟槽；S2：在所述浅沟槽侧壁和底部生长衬垫氧化层；S3：在所述浅沟槽内以及半导体基底上生长绝缘介质；S4：进行退火处理；S5：对所述绝缘介质的表面进行研磨，使浅沟槽表面平坦化，并去除半导体基底上的绝缘介质。 | ||
| 地址 | 201203 上海市张江路18号 | ||