| 发明名称 | 零标的形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种零标的形成方法，用于包含埋层图形的外延工艺中，包括：1)在衬底表面氧化形成垫层氧化层；2)先用同时包含有埋层图形和零标图形的光刻掩膜版以及光刻工艺在衬底上定义出埋层图形和零标图形的位置；3)利用光刻工艺中形成的光刻胶作为掩膜，进行离子注入在埋层图形位置处和零标图形位置处分别形成埋层和离子注入区；4)普通工艺去除所述光刻胶和所述垫层氧化层；5)之后在含氧的气氛下进行热处理，使所述衬底表面氧化，并推进所述埋层；6)湿法去除在步骤5)中形成的衬底表面的氧化层，即得到具有零标图形和埋层图形的结构。本发明的方法简化了零标的形成工艺。 | ||
| 申请公布号 | CN101866119A | 申请公布日期 | 2010.10.20 |
| 申请号 | CN200910057071.4 | 申请日期 | 2009.04.14 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 缪燕 |
| 分类号 | G03F9/00(2006.01)I;H01L21/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F9/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种零标的形成方法，用于包含埋层图形的外延工艺中，其特征在于，包括：1)在衬底表面氧化形成垫层氧化层；2)先用同时包含有埋层图形和零标图形的光刻掩膜版以及光刻工艺在衬底上定义出埋层图形和零标图形的位置；3)利用光刻工艺中形成的光刻胶作为掩膜，进行离子注入在埋层图形位置处和零标图形位置处分别形成埋层和离子注入区；4)普通工艺去除所述光刻胶和所述垫层氧化层；5)之后在含氧的气氛下进行热处理，使所述衬底表面氧化，并推进所述埋层；6)湿法去除在步骤5)中形成的衬底表面的氧化层，即得到具有零标图形和埋层图形的结构。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||