一种MOSFET的测试电路

摘要

本实用新型提供了一种MOSFET的测试电路，包括：稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，隔离单元，在测试MOSFET时，给MOSFET提供反偏高压，并且在不测试MOSFET时，用来保护MOSFET的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与MOSFET的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接MOSFET的漏极。利用MOSFET的门极和源极短接形成PN结的反向漏电流来产生一小的电流，这样解决了现有技术中因三极管不同而得到的电流不精确的问题。

主权项

一种MOSFET的测试电路，其特征在于，包括：用于产生稳定电压的稳压单元，进行采样电压并比较电压大小的采样比较单元，将低压区和高压区隔离的隔离单元，在测试MOSFET时，给MOSFET提供反偏高压，并且在不测试MOSFET时，用来保护MOSFET的保护单元；所述稳压单元的输出端与采样比较单元的第一输入端连接，采样比较单元的第二输入端与MOSFET的门极和源极连接，采样单元的输出端与隔离单元的输入端连接；隔离单元的输出端与保护单元的输入端连接；保护单元的输出端连接MOSFET的漏极。