发明名称 |
一种金属沟槽的制作方法 |
摘要 |
本发明提供了一种金属沟槽的制作方法,金属沟槽的制作是基于预先制作好过孔的硅基底制作,该硅基底具有底部阻挡层和中间阻挡层,此金属沟槽的制作包括以下步骤:a、在所述硅基底的过孔内填充大于标准高度的底层抗反射膜;b、在硅基底上涂敷光阻,蚀刻未涂敷光阻的硅基底中间阻挡层以上的介质;c、进一步蚀刻,去除中间阻挡层上残留的介质。本发明的金属沟槽的制作方法,通过在过孔内填充大于标准高度的底层抗反射膜,增加步骤c去掉残留的介质,可有效提高制作的金属沟槽质量的稳定性,解决传统金属沟槽制作方法存在的过孔内底层抗反射膜高度控制要求高的问题及栅栏式硅基底和面角问题,避免繁琐的监控和调整工作。 |
申请公布号 |
CN101587853B |
申请公布日期 |
2010.10.20 |
申请号 |
CN200810037680.9 |
申请日期 |
2008.05.20 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
周鸣;尹晓明 |
分类号 |
H01L21/768(2006.01)I;H01L21/311(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/768(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种金属沟槽的制作方法,所述金属沟槽的制作是基于预先制作好过孔的硅基底制作,所述硅基底具有底部阻挡层和中间阻挡层,其特征在于,包括以下步骤:a、在所述硅基底的过孔内填充大于标准高度的底层抗反射膜;b、在所述硅基底上涂敷光阻,蚀刻未涂敷光阻的硅基底中间阻挡层以上的介质;c、进一步蚀刻,去除中间阻挡层上残留的介质;所述步骤b的蚀刻包括:主蚀刻去掉所述底层抗反射膜未保护的中间阻挡层以上的部分介质;去除所述硅基底上光阻;过蚀刻去掉所述底层抗反射膜保护的中间阻挡层以上的部分介质。 |
地址 |
201203 上海市张江路18号 |