Method of manufacturing a recessed gate transistor,申请号KR20070138487-传众专利搜索

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发明名称	Method of manufacturing a recessed gate transistor
摘要
申请公布号	KR100988776(B1)	申请公布日期	2010.10.20
申请号	KR20070138487	申请日期	2007.12.27
申请人		发明人
分类号	H01L21/336;H01L29/78	主分类号	H01L21/336
代理机构		代理人
主权项
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