| 摘要 |
<p>L'invention concerne un procédé de fabrication et dispositif permettant la fabrication du cuivre chélate sur la base de la fusion du cuivre sous température ambiante et sous la pression atmosphérique par la création d'un champs d'échange entre deux pôles antinomiques, sous bas voltages, dans une solution aqueuse dont le potentiel hydrogène varie, selon la destination du produit issu, entre 0.0 et 14.0. Dans le dispositif montré par la figure l : La solution de transfert est versée dans un contenant non conducteur (1), dans lequel sont disposés deux faisceaux en cuivre de diamètres différents: le faisceau central (2) et le faisceau latéral (3) ces deux faisceaux sont alimentés par un courant électrique continu en (6) et (7) par la connexion (4) . A la mise sous tension, l'échange entre les deux pôles (+) et (-) s'enclenche automatiquement dans le sens directionnel démontré en (12) : du point haut du faisceau central (2) à son point bas, puis du point bas du faisceau latéral (3) à son point haut, pour refaire le même chemin durant toute la durée du cycle. Le faisceau central (2) constitue alors le noyau du transfert tel que c'est démontré par la coupe AA en (13). Au fur et à mesure de l'échange, la solution de transfert qui est initialement transparente et claire, devient de plus en plus bleue, ce qui est expliqué par la fusion du cuivre dans la solution de transfert. L'absence totale de résidu du cuivre démontre non seulement l'authenticité du produit, mais aussi la forte concentration du produit issu en cuivre sans, pour autant, qu'il y ait de reconstitution et/ou de dépôt de cuivre.</p> |
