Fabricating method for the non or semi polar III-nitride epi layers and the same,申请号KR20080112045-传众专利搜索

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发明名称	Fabricating method for the non or semi polar III-nitride epi layers and the same
摘要
申请公布号	KR100988478(B1)	申请公布日期	2010.10.18
申请号	KR20080112045	申请日期	2008.11.12
申请人		发明人
分类号	H01L21/20	主分类号	H01L21/20
代理机构		代理人
主权项
地址

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