Verfahren zur Kontaminationsvermeidung und EUV-Lithographieanlage

摘要

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Verhindern des Durchtretens von kontaminierenden gasförmigen Stoffen (18) durch eine Öffnung (17b) in einer Einhausung (4a) einer EUV-Lithographieanlage (1), wobei in der Einhausung (4a) mindestens ein optisches Element zur Führung von EUV-Strahlung (6) angeordnet ist und wobei das Verfahren umfasst: Erzeugen mindestens eines die kontaminierenden Stoffe (18) umlenkenden, insbesondere deren Strömungsrichtung (Z) entgegengerichteten Gasstroms (21a, 21b) im Bereich der Öffnung (17b). Der Gasstrom (21a, 21b) und die EUV-Strahlung (6) werden gepulst erzeugt und die Pulsrate des Gasstroms (21a, 21b) wird in Abhängigkeit von der Pulsrate der unter Einwirkung der gepulsten EUV-Strahlung (6) freigesetzten kontaminierenden Stoffe (18) festgelegt, wobei beide Pulsraten insbesondere gleich groß sind. Die Erfindung betrifft auch eine EUV-Lithographieanlage, an der das Verfahren durchgeführt werden kann.