发明名称 Leistungshalbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren dafür
摘要 Eine Leistungshalbleitervorrichtung enthält ein Substrat (21), das ein Schaltungsmuster (20) auf seiner oberen Oberfläche aufweist. Ein Halbleiterelement (22, 24) ist an dem Schaltungsmuster (20) befestigt. Eine zylindrische Elektrode (12) weist ein oberes Ende an einem Ende davon auf und ist aufrecht an dem Substrat (21) derart befestigt, dass das andere Ende davon an dem Schaltungsmuster (22, 24) befestigt ist. Die zylindrische Elektrode (12) enthält einen Abschnitt mit einem größeren Innendurchmesser als der andere Abschnitt davon. Eine Harzverpackung (10) bedeckt das Substrat (21), das Halbleiterelement (22, 24) und die zylindrische Elektrode (12) derart, dass eine hintere Oberfläche des Substrates (21) und das eine Ende der zylindrischen Elektrode (12) zu Luft offen liegen.
申请公布号 DE102009042399(A1) 申请公布日期 2010.10.14
申请号 DE20091042399 申请日期 2009.09.22
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORP. 发明人 SUDO, SHINGO;ARAI, KIYOSHI;NAKAJIMA, DAI;YOSHIDA, HIROSHI;HAYASHI, KENICHI
分类号 H01L23/48;H01L21/56;H01L21/60;H01L25/07 主分类号 H01L23/48
代理机构 代理人
主权项
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