| 发明名称 | 一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种抗总剂量辐照的SOI器件及其制造方法，属于电子技术领域。本发明的SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。所述衬底层和牺牲层的材料同为P型硅，所述埋氧层的材料为二氧化硅。本发明的SOI器件通过在硅片上依次形成第一SiO2层，牺牲层，第二SiO2层，和硅膜衬底层而制造。本发明可用于航天、军事、核电和高能物理等与总剂量辐照相关的行业中。 | ||
| 申请公布号 | CN101859783A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN201010164471.8 | 申请日期 | 2010.04.30 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 刘文;郝志华;黄如 |
| 分类号 | H01L27/12(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/12(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙) 11200 | 代理人 | 俞达成 |
| 主权项 | 一种抗总剂量辐照的SOI器件，该SOI器件包括衬底层，埋氧层和顶层，其特征在于，所述埋氧层中包括和衬底层材料相同的牺牲层，所述埋氧层在所述牺牲层中产生固定负电荷。 | ||
| 地址 | 100871 北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||