发明名称 |
静电放电保护装置及其电路 |
摘要 |
本发明提出数种用于静电放电保护的具有电路布局图案的实施例。一装置具有一电路布局图案可以被配置以保护输入/输出端点,或该电压源。该电路布局图案可以被设计以增加用于静电放电电流路径的耐压。例如,可以运用更多的环。本发明也提出用于静电放电保护的电路实施例。依据一实施例,一静电放电保护电路包括四个寄生双极性接面晶体管被配置以保护该输入/输出端点,或该电压源。更多的双极性接面晶体管或电阻可以被用来增加静电放电电流路径的耐压。不同的变化和修改可以通过改变掺杂区域的掺杂浓度而被实施。 |
申请公布号 |
CN101150126B |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN200710106361.4 |
申请日期 |
2007.05.28 |
申请人 |
奇景光电股份有限公司 |
发明人 |
陈东旸 |
分类号 |
H01L27/02(2006.01)I;H01L23/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/02(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
王英 |
主权项 |
一种静电放电保护装置,其包括:一P型衬底;一第一装置区域,形成于所述P型衬底,所述第一装置区域包括:一第一N型掺杂区域;一第一N型井区域,自所述第一N型掺杂区域分离;一第二N型掺杂区域,配置于所述第一N型井区域;一第一P型掺杂区域,配置于所述第一N型井区域之外,并且相邻于所述第一N型掺杂区域和所述第二N型掺杂区域之间;一第二装置区域,形成于所述P型衬底,并且自所述第一装置区域分离,所述第二装置区域还包括:一第二N型井区域;一第二P型掺杂区域,形成于所述第二N型井区域;一第三N型掺杂区域,形成于所述第二N型井区域,并且自所述第二P型掺杂区域分离;一第三P型掺杂区域,配置于所述第二N型井区域之外,其中所述第三N型掺杂区域相邻于所述第二P型掺杂区域和所述第三P型掺杂区域之间;以及一导电连接线连接所述第一装置区域和所述第二装置区域,用以释放静电电荷。 |
地址 |
中国台湾台南县 |