发明名称 | 半导体集成电路装置 | ||
摘要 | 一种半导体集成电路装置,具备:一个以上的第一晶体管,控制输入电源线和输出电源线之间的导通;一个以上的第二晶体管,控制上述输入电源线和上述输出电源线之间的导通;第一缓冲器,向与上述一个以上的第一晶体管连接的第一控制线供给用于驱动上述一个以上的第一晶体管的第一控制信号;第二缓冲器,经由上述第一控制线被供给上述第一控制信号,产生用于驱动上述一个以上的第二晶体管的第二控制信号,并将其供给至与上述一个以上的第二晶体管连接的第二控制线;以及一个以上的电容器,连接在上述第一控制线和上述输出电源线之间。 | ||
申请公布号 | CN101860354A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
申请号 | CN201010123926.1 | 申请日期 | 2010.03.02 |
申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 藤田哲也;萩原洋介 |
分类号 | H03K17/72(2006.01)I | 主分类号 | H03K17/72(2006.01)I |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 许玉顺;胡建新 |
主权项 | 一种半导体集成电路装置,其特征在于,具备:一个以上的第一晶体管,控制输入电源线和输出电源线之间的导通;一个以上的第二晶体管,控制上述输入电源线和上述输出电源线之间的导通;第一缓冲器,向与上述一个以上的第一晶体管连接的第一控制线供给第一控制信号,该第一控制信号用于驱动上述一个以上的第一晶体管;第二缓冲器,经由上述第一控制线被供给上述第一控制信号而产生第二控制信号,并将该第二控制信号供给至与上述一个以上的第二晶体管连接的第二控制线,上述第二控制信号用于驱动上述一个以上的第二晶体管;以及一个以上的电容器,连接在上述第一控制线和上述输出电源线之间。 | ||
地址 | 日本东京都 |