发明名称 |
自感式可控电抗器双绕组结构 |
摘要 |
自感式可控电抗器双绕组结构,包括可控电抗器的铁芯柱,铁芯柱上、下两端连接上、下铁轭,铁芯柱外套设线圈,其特征在于所述的线圈包括第一绕组L1、第二绕组L2、第三绕组L3和第四绕组L4组成,第二绕组L2的两端并接第一可控硅和第二可控硅组成整流电路,第一、第二两只可控硅的阴极与阳极相互并接,其中的一端接第二绕组的首端,另一端引出第一接线端子,第二绕组L2的末端和第三绕组L3串联引出第三接线端子,第二、第三绕组L2、L3中间引出第二接线端子,第四绕组L4的两端联接保护回路,铁芯柱的主磁通经过上、下铁轭闭合形成磁回路。 |
申请公布号 |
CN201608028U |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201020104961.4 |
申请日期 |
2010.01.26 |
申请人 |
浙江广天变压器有限公司 |
发明人 |
赵西平 |
分类号 |
H01F27/28(2006.01)I;H01F17/04(2006.01)I |
主分类号 |
H01F27/28(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
王官明 |
主权项 |
自感式可控电抗器双绕组结构,包括可控电抗器的铁芯柱(1),铁芯柱上、下两端连接上、下铁轭(6),铁芯柱外套设线圈(2),其特征在于所述的线圈(2)包括第一绕组(L1)、第二绕组(L2)、第三绕组(L3)和第四绕组(L4)组成,第二绕组(L2)的两端并接第一可控硅(3)和第二可控硅(4)组成整流电路,第一、第二两只可控硅(3、4)的阴极与阳极相互并接,其中的一端接第二绕组(L2)的首端,另一端引出第一接线端子(11),第二绕组(L2)的末端和第三绕组(L3)串联引出第三接线端子(13),第二、第三绕组(L2、L3)中间引出第二接线端子(12),第四绕组(L4)的两端联接保护回路(5),铁芯柱(1)的主磁通经过上、下铁轭(6)闭合形成磁回路。 |
地址 |
318020 浙江省台州市黄岩区西工业园区锦川路22号 |