发明名称 有机薄膜晶体管和有机薄膜发光晶体管
摘要 本发明涉及有机薄膜晶体管,其至少在基板上设置栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层,通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流,所述有机半导体层含有具有在中心有菲结构的2价芳香族烃基的特定有机化合物。本发明还涉及在有机薄膜晶体管中利用流过源电极-漏电极之间的电流获得发光并通过向栅电极施加电压来控制发光的有机薄膜发光晶体管,从而提供响应速度快且开/关比大的有机薄膜晶体管以及利用该有机薄膜晶体管的有机薄膜发光晶体管。
申请公布号 CN101553940B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200780042288.7 申请日期 2007.11.13
申请人 出光兴产株式会社 发明人 齐藤雅俊;中野裕基;中村浩昭
分类号 H01L51/30(2006.01)I;H01L29/786(2006.01)I;C09K11/06(2006.01)I;H01L51/05(2006.01)I;H01L51/50(2006.01)I 主分类号 H01L51/30(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 朱丹
主权项 1.一种有机薄膜晶体管,其为至少在基板上设置有栅电极、源电极以及漏电极这3个端子、绝缘体层以及有机半导体层,并且通过向栅电极施加电压来控制源电极-漏电极间电流,其中,所述有机半导体层含有具有下述通式(a)的结构的有机化合物,<img file="FSB00000137323700011.GIF" wi="1975" he="518" />式中,A是具有菲结构的2价芳香族烃基,R<sub>1</sub>~R<sub>10</sub>分别独立地表示氢原子、卤原子、氰基、碳原子数为1~30的烷基、碳原子数为1~30的卤代烷基、碳原子数为1~30的烷氧基、碳原子数为1~30的卤代烷氧基、碳原子数为1~30的烷基硫基、碳原子数为1~30的卤代烷基硫基、碳原子数为1~30的烷基氨基、碳原子数为2~60的二烷基氨基键合、碳原子数为1~30的烷基磺酰基、碳原子数为1~30的卤代烷基磺酰基、碳原子数为6~60的芳香族烃基或碳原子数为1~60的芳香族杂环基,上述各基团可以具有取代基,也可以相互连接形成碳原子数为6~60的芳香族烃基或碳原子数为1~60的芳香族杂环基,所述碳原子数为2~60的二烷基氨基中的烷基可以相互键合形成含有氮原子的环结构。
地址 日本国东京都