| 发明名称 | 具有铜背部金属结构的薄GaAs管芯 | ||
| 摘要 | 薄GaAs衬底(310)可以设置有铜背部金属层(340)，以利用常规塑料封装技术封装GaAs衬底。通过给GaAs衬底设置铜背部金属层，GaAs衬底可以制作得比2密耳(大约50微米)薄，由此减少热消散问题并使半导体管芯与软焊剂技术相适应。通过使半导体管芯能够封装在塑料封装内，可以实现巨额成本节省。 | ||
| 申请公布号 | CN1720610B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN03825435.2 | 申请日期 | 2003.09.30 |
| 申请人 | 飞思卡尔半导体公司 | 发明人 | 亚历山大·J·艾里奥特;杰弗里·戴尔·克洛德;蒙特·基恩·米勒 |
| 分类号 | H01L21/60(2006.01)I;H01L23/373(2006.01)I;H01L23/482(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人 | 樊卫民;钟强 |
| 主权项 | 一种半导体器件，包括：具有小于50微米厚度的GaAs衬底，所述GaAs衬底具有有源表面和背部表面；覆盖在背部表面上的扩散阻挡层；覆盖在扩散阻挡层上的铜背部金属层；以及密封GaAs衬底的塑料管芯封装。 | ||
| 地址 | 美国得克萨斯 | ||