具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片

摘要

一种具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片，包括衬底、n极区域、活性层和p极区域，在n极区域上设有N电极，在p极区域上设有P电极和电流扩散层，在电流扩散层上设有保护层，其特征在于：光子晶体侧向光提取器由柱阵列组成，所述柱阵列贯穿p极区域、活性层和n极区域直至衬底表面，所述光子晶体侧向光提取器包括芯片四周柱阵列，N电极和P电极间电流扩散层保持导电的通路。由于光子晶体侧向光提取器(光子晶体阵列)的设置，修正光的角度，使更多侧面的光投射到外面，从而大幅度地提高LED的外部量子效率。克服了芯片取光效率低、应力集中、发热量大且散热效果不佳的问题。从而使生产出来的LED性能更加稳定，发光亮度更大。

主权项

一种具有光子晶体侧向光提取器的发光二极管芯片，包括衬底(100)、n极区域(101)、活性层(102)和p极区域(103)，在n极区域(101)上设有N电极(106)，在p极区域(103)上设有P电极(107)和电流扩散层(108)，在电流扩散层(108)上设有保护层(109)，其特征在于：光子晶体侧向光提取器由柱阵列组成，所述柱阵列贯穿p极区域(103)、活性层(102)和n极区域(101)直至衬底(100)表面，所述光子晶体侧向光提取器包括芯片四周柱阵列(104)，N电极和P电极间电流扩散层保持导电的通路。