发明名称 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺
摘要 四氯化硅氢化炉U形发热体及其制造工艺,本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成,所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成,重量不低于产品总重量的50%;所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成,其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30%;发热体材料密度≥1.3g/cm3;表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。本发明之四氯化硅氢化炉U形发热体耐腐蚀和冲蚀性能好,使用寿命长,可靠性高。
申请公布号 CN101541111B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200910043180.0 申请日期 2009.04.22
申请人 蒋建纯 发明人 蒋建纯;张弛;张新万;吕国平;陈志军;蒋立志
分类号 H05B3/14(2006.01)I;H05B3/62(2006.01)I;B05D7/24(2006.01)I;C23C16/26(2006.01)I;B29C70/34(2006.01)I;B29K85/00(2006.01)N 主分类号 H05B3/14(2006.01)I
代理机构 长沙星耀专利事务所 43205 代理人 宁星耀
主权项 一种四氯化硅氢化炉U形发热体,其特征在于,由坯体、基体和表面碳化硅涂层构成,所述坯体由二维碳纤维织物叠层或准三维针刺碳纤维毡体构成,重量不低于发热体总重量的50%;所述基体由浸渍碳和化学气相沉积碳组成,其中化学气相沉积碳的含量不大于坯体和基体总重量的30%;发热体材料密度≥1.3g/cm3;表面碳化硅涂层厚度为10-100μm。
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