| 发明名称 | 非晶氧化物膜的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种非晶氧化物膜的制造方法，所述非晶氧化物膜包含In或Zn，并且用作场效应晶体管的沟道层，所述方法包括以下步骤：在成膜设备中放置基底；以及在以各自的分压在成膜设备中引入氧气和氢气的同时，通过溅射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜，其中用于所述氢气的分压为0.001至0.01Pa，用于所述氧气的分压为0.008至0.5Pa。 | ||
| 申请公布号 | CN101859711A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN201010203204.7 | 申请日期 | 2006.09.05 |
| 申请人 | 佳能株式会社 | 发明人 | 岩崎达哉 |
| 分类号 | H01L21/363(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/363(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 魏小薇 |
| 主权项 | 一种用于制造包含In或Zn的非晶氧化物膜的方法，所述非晶氧化物膜用作场效应晶体管的沟道层，所述方法包括以下步骤：在成膜设备中放置基底；以及在以各自的分压在成膜设备中引入氧气和氢气的同时，通过溅射成膜法在基底上形成所述非晶氧化物膜，其中用于所述氢气的分压为0.001至0.01Pa，用于所述氧气的分压为0.008至0.5Pa。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||