一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列

摘要

本发明公开了一种嵌入式非挥发存储器单元及其工作方法、存储阵列，属于存储器技术领域。本方法为：将选择晶体管的栅极作为存储器的浮栅，其源、漏电极作为存储器的源、漏电极，然后通过电极电压的变化改变器件的阈值，实现信息的存储和变化；本非挥发存储单元为在P阱层上制作存储单元，N阱层环绕P阱层，深N阱层位于N阱层和P阱层的下方，并与N阱层相连；本存储阵列包括若干存储单元，每一存储单元内，选择管的栅极与存储阵列的字线连接，其源/漏端与非挥发存储单元的源/漏端连接，另一源/漏端与存储阵列的公共源端连接，非挥发存储单元的另一源/漏端与存储阵列的位线连接。本发明具有面积设计小，工作电压低，工作速度高，可靠性强。

主权项

一种嵌入式非挥发存储器单元的工作方法，其特征在于，将选择晶体管的栅极作为存储器单元的浮栅，将选择晶体管的源、漏电极分别作为存储器单元的源、漏电极，其中：a)信息擦除方法为：将选择晶体管的衬底电极上加一正电压脉冲，将选择晶体管的源、漏电极浮置；b)信息编程方法为：将选择晶体管的衬底电极和源电极接零电压，漏电极接一正电压，产生热电子进行编程；c)信息读取方法为：将选择晶体管的漏电极接一偏置电压，源电极衬底电极接零电位。