发明名称 |
磁屏式磁控电抗器铁芯 |
摘要 |
磁屏式磁控电抗器铁芯,包括上铁轭和下铁轭,以及连接上、下铁轭的铁芯柱,其特征在于所述的铁芯柱包括交替分布的近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯,以及中间的铁饼和气隙组成,近饱和区域铁芯和不饱和区域铁芯交错排列组成并联磁路,在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。本方案通过减少近饱和区域面积,增加不饱和区域面积,这样就减少不饱和区域的磁密,同时增大了漏磁通,减少了气隙高度;减少了损耗,降低了噪音。通过增加铁饼数量,减少气隙高度,减少了漏磁,使得局部励磁均匀,谐波量小,避免了局部过流,增加了工作寿命。并且有控制能量低,可以带电检修等优点。 |
申请公布号 |
CN201608020U |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201020105385.5 |
申请日期 |
2010.01.27 |
申请人 |
浙江广天变压器有限公司 |
发明人 |
赵西平 |
分类号 |
H01F27/24(2006.01)I;H01F3/10(2006.01)I;H01F41/02(2006.01)I |
主分类号 |
H01F27/24(2006.01)I |
代理机构 |
浙江杭州金通专利事务所有限公司 33100 |
代理人 |
王官明 |
主权项 |
磁屏式磁控电抗器铁芯,包括上铁轭(3)和下铁轭(4),以及连接上、下铁轭(3、4)的铁芯柱(5),其特征在于所述的铁芯柱(5)包括交替分布的近饱和区域铁芯(7)和不饱和区域铁芯(6),以及中间的铁饼(1)和气隙(2)组成,近饱和区域铁芯(7)和不饱和区域铁芯(6)交错排列组成并联磁路,在并联磁路中按比例设定近饱和区域铁芯截面积和不饱和区域铁芯截面积。 |
地址 |
318020 浙江省台州市黄岩区西工业园区锦川路22号 |