发明名称 |
一种具有较高载流子传输特性的TFT基板及其制备方法 |
摘要 |
本发明涉及一种具有较高载流子传输特性的硅薄膜及其制备方法,涉及真空镀膜技术。该硅薄膜是由非晶硅薄膜与掺杂在非晶硅薄膜中的碲化镉(CdTe)或硒化镉(CdSe)或硫化镉(CdS)等具有非线性电阻材料性质的材料组成。是采用等离子体增强化学汽相沉积技术(PECVD)来制备的。PECVD设备有多路气体接入装置,可以同时将几种气体导入到设备的反应腔体内,进行掺杂非晶硅薄膜的生长。使用本发明可保证掺杂的非晶硅薄膜致密且厚度均匀。本发明不但提高了非晶硅薄膜载流子迁移率,而且使用本发明的非晶硅薄膜来制备的薄膜晶体管(TFT)性能与低温多晶硅制备的TFT性能相当,并可以大幅度地降低TFT基板的制备成本,还简化TFT相关的制备工艺。 |
申请公布号 |
CN101859800A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201010195770.8 |
申请日期 |
2010.06.09 |
申请人 |
深圳丹邦投资集团有限公司 |
发明人 |
刘萍 |
分类号 |
H01L29/786(2006.01)I;H01L29/16(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I |
主分类号 |
H01L29/786(2006.01)I |
代理机构 |
深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 |
代理人 |
江耀纯 |
主权项 |
一种具有较高载流子传输特性的TFT基板,包括玻璃基板(1)、非晶硅薄膜(2),其特征在于:在所述非晶硅薄膜(2)中掺杂有非线性电阻材料。 |
地址 |
518057 广东省深圳市高新技术产业园北区郎山一路8号 |