发明名称 |
一种调整参考单元阈值参数的方法、装置和一种测试系统 |
摘要 |
本发明提供了一种调整参考单元阈值参数的方法,用在多个存储器芯片的并行测试过程中,包括以下步骤:对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元进行擦除操作;测量各个待测试芯片的参考单元的电流,如果符合第一预置条件,则进入下一步骤,否则,重新进行擦除操作;对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作;如果某个被编程的参考单元的电流符合第二预置条件,则该参考单元调整完毕,将该芯片与测试机台断开;对未断开的待测试芯片继续执行编程操作,直至所有的待测试芯片都断开。由于本发明能真正实现并测,因此机台的整体测试时间被大大缩短,大大降低了测试成本。 |
申请公布号 |
CN101859606A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN200910081616.5 |
申请日期 |
2009.04.07 |
申请人 |
北京芯技佳易微电子科技有限公司 |
发明人 |
胡洪;韩飞 |
分类号 |
G11C29/56(2006.01)I |
主分类号 |
G11C29/56(2006.01)I |
代理机构 |
北京润泽恒知识产权代理有限公司 11319 |
代理人 |
苏培华 |
主权项 |
一种调整参考单元阈值参数的方法,其特征在于,用在多个存储器芯片的并行测试过程中,包括以下步骤:对测试机台上的所有待测试芯片的参考单元进行擦除操作;测量各个待测试芯片的参考单元的电流,如果符合第一预置条件,则进入下一步骤,否则,重新进行擦除操作;对各个待测试芯片的参考单元进行编程操作;如果某个被编程的参考单元的电流符合第二预置条件,则该参考单元调整完毕,将该芯片与测试机台断开;对未断开的待测试芯片继续执行编程操作,直至所有的待测试芯片都断开。 |
地址 |
100084 北京市海淀区清华科技园学研大厦B座301室 |