薄膜太阳能电池及其形成方法、太阳能电池结构的生产线

摘要

本发明涉及CIGS型的薄膜太阳能电池。本发明的特征在于使用两个整体形成的缓冲层，在CIGS层(3)顶上形成的第一ALD Zn(O，S)缓冲层和在第一缓冲层(7)顶上形成的第二ALD ZnO缓冲层(8)。两个缓冲层都在同一处理步骤中使用ALD(原子层沉积)来沉积。本发明还涉及生产电池的方法和制造电池结构的生产线。

主权项

一种薄膜太阳能电池，包括在背面电极层(2)上形成的p-型半导体Cu(In，Ga)(Se，S)2光吸收层(3)薄膜，在光吸收层上形成的透明导电金属氧化物薄膜，其具有n-型导电性并用作窗口层(5)和电极，和在窗口层和Cu(In，Ga)(Se，S)2光吸收层之间的界面层(6)，特征在于所述界面层包括第一含硫缓冲层(7)和第二缓冲层(8)，所述第一含硫缓冲层(7)包括在Cu(In，Ga)(Se，S)2光吸收层上ALD生长的ZnOxS1-x或者所述第一含硫缓冲层(7)为ALD沉积的In2S3，所述第一含硫缓冲层(7)提高太阳能电池电性能，并且所述第二缓冲层(8)是通过ALD沉积与第一含硫缓冲层整体形成的并包括ZnO，其中x＞0并小于等于0.9。