发明名称 有源矩阵式显示装置的像素结构
摘要 有源矩阵式显示装置的像素结构,其包含驱动电路、发光组件和分流电路。驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容。发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,负极耦接至公共电压。分流电路包含第六薄膜晶体管,该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压,该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。通过本发明,可提高显示画面对比度,且不影响发光组件OLED使用寿命。
申请公布号 CN101859791A 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200910134853.3 申请日期 2009.04.09
申请人 友达光电股份有限公司 发明人 刘俊彦;柯凯元;蔡轩名;吴元均;张立勋
分类号 H01L27/32(2006.01)I;G09G3/32(2006.01)I;G09G3/20(2006.01)I 主分类号 H01L27/32(2006.01)I
代理机构 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 31218 代理人 翟羽
主权项 一种有源矩阵式显示装置的像素结构,其特征在于包含:驱动电路,包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管、第四薄膜晶体管、第五薄膜晶体管以及存储电容;该第一薄膜晶体管的漏极耦接至数据电压,栅极耦接至第一扫描电压,源极耦接至该第二薄膜晶体管的漏极和该第四薄膜晶体管的栅极;该第二薄膜晶体管的栅极耦接至第二扫描电压,源极耦接至该第三薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第一端;该第三薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压,源极耦接至第一参考电压;该第四薄膜晶体管的源极耦接至该第五薄膜晶体管的漏极和该存储电容的第二端;该第五薄膜晶体管的栅极耦接至发射电压,源极耦接至正电压;发光组件,该发光组件的正极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,负极耦接至公共电压;以及分流电路,包含第六薄膜晶体管,该第六薄膜晶体管的栅极耦接至该第一扫描电压,该第六薄膜晶体管的源极耦接至该第四薄膜晶体管的漏极,该第六薄膜晶体管的漏极耦接至第二参考电压。
地址 中国台湾新竹市新竹科学工业园区新竹市力行二路一号