发明名称 半导体晶片的结晶方位指示标记检测机构
摘要 本发明提供一种半导体晶片的结晶方位指示标记检测机构,所述半导体晶片在器件区域的周围具有圆形的外周剩余区域,所述器件区域将多个器件形成在或者预定形成在正面上,在上述外周剩余区域的外周边缘部的面加工部的区域内,作为表示该半导体晶片的结晶方位的标记而形成有与该半导体晶片的面方向正交的平坦面,该半导体晶片的结晶方位指示标记检测机构检测该半导体晶片的该平坦面,其特征在于,包括:具有与该半导体晶片的面方向平行的光轴的光学式传感器、和保持该半导体晶片的能够旋转的保持台。
申请公布号 CN101086975B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200710109910.3 申请日期 2007.06.11
申请人 株式会社迪斯科 发明人 关家一马
分类号 H01L21/66(2006.01)I;H01L23/544(2006.01)I 主分类号 H01L21/66(2006.01)I
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人 温大鹏
主权项 一种半导体晶片的结晶方位指示标记检测机构,所述半导体晶片在器件区域的周围具有圆形的外周剩余区域,所述器件区域将多个器件形成在或者预定形成在正面上,在上述外周剩余区域的外周边缘部的面加工部的区域内,使用形成为与该半导体晶片的面方向正交的平坦面作为表示该半导体晶片的结晶方位的标记,其特征在于,包括:具有与该半导体晶片的面方向平行的光轴的光学式传感器、和保持该半导体晶片的能够旋转的保持台,所述平坦面在所述面加工部的区域内以平面状延伸而形成,利用所述光学式传感器来测定来自随所述保持台旋转的所述半导体晶片的所述面加工部的反射光的光量,检测所述反射光的光量的变化,在所述反射光的光量最大时检测所述平坦面,从而得到所述平坦面的检测时的所述保持台的方位。
地址 日本东京都