氮化物半导体元件

摘要

本发明作为夹入p型氮化物半导体层11、n型氮化物半导体层13的活性层12，至少具有：具有n型杂质的阻挡层2a；由包含In的氮化物半导体构成的井层1a；具有p型杂质的、或者以无掺杂而使其生长的阻挡层2c，通过配置该阻挡层2作为最接近p型层一侧的阻挡层，就可以注入适当的载流子到活性层12。

主权项

一种氮化物半导体元件，具有以p型氮化物半导体层和n型氮化物半导体层夹着具有由包含In的氮化物半导体构成的井层和由氮化物半导体构成的阻挡层的量子井结构的活性层的结构，其特征在于：所述活性层作为所述阻挡层，具有配置在最接近所述p型氮化物半导体层的位置上的第一阻挡和与该第一阻挡层不同的第二阻挡层，并且，所述第一阻挡层实质上不包含n型杂质，所述第二阻挡层包含n型杂质。