| 发明名称 | 半导体衬底、半导体器件和半导体衬底的制造方法 | ||
| 摘要 | 当在夹在两个绝缘体层之间的半导体层中形成厚部(例如光波导)时，可以很容易地设计在半导体层表面侧上形成的电子器件。双结构SOI衬底(10)从表面侧开始依次包括硅层(15)、绝缘膜(氧化硅膜)(14)、硅层(13)和绝缘膜(12)。形成的上层绝缘膜(14)具有均匀的深度分布，而形成的下层绝缘膜(12)具有不均匀的深度分布，因而沿预定路线在硅层(13)中形成厚部。Si的折射指数为3.5，SiO2的折射指数为1.5，硅层(13)的厚部提供了核芯，并且对应于该厚部的绝缘膜(12)和(14)提供了包层，从而沿预定路线形成了光波导(16)。由于硅层(15)在表面侧具有均匀的厚度，因此容易使在硅层(15)的各个部分上制造的MOS器件的特性实现平衡，而且便于对电子器件进行整体设计。 | ||
| 申请公布号 | CN101317257B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200680044083.8 | 申请日期 | 2006.11.17 |
| 申请人 | 索尼株式会社 | 发明人 | 木岛公一朗 |
| 分类号 | H01L21/762(2006.01)I;G02B6/122(2006.01)I;G02B6/13(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L27/08(2006.01)I;H01L27/12(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/762(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 | 代理人 | 肖善强 |
| 主权项 | 一种制造半导体衬底的方法，其特征在于，所述方法包括：第一步骤，在第一半导体衬底上形成预定图案化掩膜的条件下将氧离子注入所述第一半导体衬底，然后对所述第一半导体衬底进行热处理，从而形成具有不均匀的深度分布的第二绝缘体层；和第二步骤，在所述第一步骤后，在从所述第一半导体衬底上去除所述预定图案化掩膜的条件下将氧离子注入所述第一半导体衬底，然后对所述第一半导体衬底进行热处理，从而在所述第二绝缘体层上方形成具有均匀的深度分布的第一绝缘体层。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||