晶片支架

摘要

本发明的目的在于提供一种晶片台支架，其包括晶片装载在其上的晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其用在等离子加工腔中，用于减小边缘隔绝(EE)同时防止晶片背部污染。本发明中，晶片支架包括晶片台和围绕所述晶片台的晶片台外环，其中，所述晶片台具有小于装载在所述晶片台上的直径的直径，所述晶片台外环具有在所述外环上侧处的内直径，该内直径大于装载在所述晶片台上晶片的直径；并且晶片台外环的上表面位于装载在所述晶片台上的晶片的上表面以上。

主权项

一种成角度溅射方法，在相对于装载在晶片台上的晶片表面，使溅射粒子成角度入射的成角度溅射方法中，其特征在于，在由晶片台外环围绕的可旋转的晶片台上设置晶片，并且相对于该设置的晶片表面成规定的角度使溅射粒子入射，将该外环作为屏蔽并在该晶片表面上形成沉积薄膜，该晶片台的直径小于该设置的晶片的直径，该外环由具有分别不同的内径的上侧部和下侧部所构成，该外环的上侧部的内径大于该外环的下侧部的内径及该上侧部的上面的高度高于该设置的晶片的上面，该外环的下侧部的内径大于该晶片台的直径，该外环的上侧部和下侧部的分界的水平面定位成低于该设置的晶片的下面，在该晶片台上装载晶片时，相对于从该外环的外侧向内侧的所述规定的角度的溅射粒子的入射，所述外环的上侧部的上表面设定成使得以所述的规定的角度入射的所述溅射粒子不在晶片上面产生该上侧部的阴影的高度。