发明名称 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料
摘要 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料,涉及电子材料技术,特别涉及电容器材料技术。本发明由钛酸钡主料、第一添加剂、第二添加剂和第三添加剂组成,其中:第一添加剂为微晶玻璃,第二添加剂包括无铅压电材料钛酸铋钠或硼硅酸盐,第三添加剂包括:稀土氧化物、ZnO和Nb2O5,所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。本发明的有益效果是,实现了基料与掺杂剂的分别批量化生产,从而使生产过程简化,设备简单且容易控制。制成微晶玻璃添加剂颗粒尺寸达到纳米级,符合MLCC大容量、高可靠性和小型化的趋势。
申请公布号 CN101033132B 申请公布日期 2010.10.13
申请号 CN200710048476.2 申请日期 2007.02.13
申请人 电子科技大学 发明人 周晓华;唐彬;袁颖;张树人;钟朝位
分类号 C04B35/468(2006.01)I;C04B35/462(2006.01)I;C04B35/50(2006.01)I;C03C10/04(2006.01)I;C03C10/14(2006.01)I;H01B3/12(2006.01)I 主分类号 C04B35/468(2006.01)I
代理机构 代理人
主权项 中温烧结高温稳定型陶瓷电容器介质材料,其特征在于,包含92.8~93.1wt%钛酸钡主料、1.2~1.4wt%第一添加剂、2.7~3.0wt%第二添加剂和作为第三添加剂的0.1~1.8wt%的稀土氧化物、0.6~4.3wt%的晶粒抑制剂和0.1~2.0wt%的ZnO,其中:第一添加剂为微晶玻璃,其组分包括:CaO:20~55mol%;B2O3:20~40mol%;SiO2:25~60mol%;第二添加剂包括固相法合成的无铅压电材料钛酸铋钠,钛酸铋钠的组分包括:TiO2:60~75mol%;Bi2O3:10~25mol%;Na2O:10~25mol%;第三添加剂包括稀土氧化物、ZnO和晶粒抑制剂Nb2O5;所述稀土氧化物包括Ce或Nd的氧化物。
地址 610054 四川省成都市建设北路一段4号
您可能感兴趣的专利