| 发明名称 | 膜形成组合物 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种可以容易地剥离杂质扩散后的保护膜，且具有更高的保护效果的二氧化硅类膜形成组合物。本发明的膜形成组合物，是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有高分子硅化合物、及含保护元素的化合物，所述保护元素与所述成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到8个。在使用磷作为扩散源时，保护元素优选镓或铝，而在使用硼作为扩散源时，保护元素优选钽、铌、砷或锑。 | ||
| 申请公布号 | CN101346799B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200680049112.X | 申请日期 | 2006.12.19 |
| 申请人 | 东京应化工业株式会社 | 发明人 | 森田敏郎;佐藤功 |
| 分类号 | H01L21/22(2006.01)I;C09D183/00(2006.01)I;H01L21/316(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/22(2006.01)I |
| 代理机构 | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人 | 江耀纯 |
| 主权项 | 一种膜形成组合物，其特征在于：其是在向硅晶片中扩散杂质时，构成用以部分防止所述杂质扩散的保护膜的膜形成组合物，其含有硅氧烷聚合化合物及含保护元素的化合物，所述保护元素与成为杂质扩散源的元素共价结合而使价电子达到8个，含所述保护元素的化合物在所述膜形成组合物中的浓度为5质量ppm以上2质量百分比以下。 | ||
| 地址 | 日本国神奈川县 | ||