| 发明名称 | 减轻双曝光工艺中的抗蚀剂图案关键尺寸变化的方法 | ||
| 摘要 | 一种减轻双曝光工艺中抗蚀剂图案关键尺寸(CD)变化的方法，通常包括：在衬底之上形成光抗蚀剂层；将光抗蚀剂层曝光于第一辐射；对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第一图案；在光抗蚀剂层之上形成顶涂层；将顶涂层和光抗蚀剂层曝光于第二辐射；去除顶涂层；以及，对光抗蚀剂层进行显影以在光抗蚀剂层中形成第二图案。 | ||
| 申请公布号 | CN101859065A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN201010159406.6 | 申请日期 | 2010.04.06 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 李伟健;陈光荣;黄武松 |
| 分类号 | G03F7/00(2006.01)I | 主分类号 | G03F7/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人 | 吴立明;郑菊 |
| 主权项 | 一种光刻方法，包括：在衬底之上形成光抗蚀剂层；将所述光抗蚀剂层曝光于第一辐射；对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第一图案；在所述光抗蚀剂层之上形成顶涂层；将所述顶涂层和所述光抗蚀剂层曝光于第二辐射；去除所述顶涂层；以及对所述光抗蚀剂层进行显影以在所述光抗蚀剂层中形成第二图案。 | ||
| 地址 | 美国纽约阿芒克 | ||