用作金属间电介质的低k和超低k有机硅酸盐膜的疏水性的恢复

摘要

通常用于降低集成电路中RC延迟的是多孔有机硅酸盐的电介质膜，该有机硅酸盐含有二氧化硅状主链与直接连接到网络中S：L原子的烷基或芳基(以对材料增加疏水性和产生自由体积)。Si-R键很少幸免于对等离子体或通常用于加工的化学处理的曝露；在具有开孔结构的材料中特别是这样的。当Si-R键断裂时，材料由于亲水性硅烷醇的形成而损失疏水性和损害低介电常数。使用新颖类别的硅烷化剂恢复材料的疏水性的方法，该硅烷化剂具有通式(R2N)XSiR’Y，其中X和Y分别是1-2和3-2的整数，和其中R和R’选自氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基和乙烯基部分。多孔有机硅酸盐的机械强度也由于甲硅烷基化处理而改进。

主权项

恢复k值低于3.1的低k或非常低介电常数有机硅酸盐膜的性能的方法，该膜含有连接到硅原子的氢原子或烷基或芳基，和用于半导体芯片、芯片载体或半导体晶片中的绝缘层，其中该有机硅酸盐膜经历倾向于劣化性能的加工，该方法包括：向所述膜施加包括氨基硅烷的硅烷化剂，以恢复所述膜的介电性能，其中所述氨基硅烷具有通式(R2N)xSiR’YR”Z，其中X，Y和Z是整数及分别地x为1-3，和Y和Z分别为3-0，但其中x+y+z总是等于4，和其中R，R’和R”是任何氢、烷基、芳基、烯丙基、苯基或乙烯基。