半导体器件及其制造方法

摘要

针对提高半导体器件中上下互连之间的粘合性，本发明的半导体器件包括形成在衬底上的第二电介质多层膜，以及包含下互连；形成在第二电介质多层膜上的第一电介质多层膜，并且具有凹陷；形成在凹陷内壁上的MOx膜，并且包含金属M和氧作为主要成分；形成在MOx膜上的M膜，以及包含M作为主要成分；以及形成在M膜上用以填充凹陷的导电体，并且包含Cu作为主要成分，其中位于凹陷底部正下方的互连的表面部分具有1％或更小的氧浓度。

主权项

一种半导体器件，包括：第二电介质多层膜，形成在衬底上，并包含互连；第一电介质多层膜，其形成在所述第二电介质多层膜上，并具有凹陷，M的氧化物膜，形成在所述凹陷的内壁上，并且包含金属M和氧作为主要成分；M膜，形成在所述凹陷中的所述M的氧化物膜上，并包含所述M作为主要成分；以及导电体，形成在所述凹陷中的所述M膜上以填充所述凹陷，并且包含Cu作为主要成分，其中所述互连位于所述凹陷底部正下方的表面部分具有1％或者更小的氧浓度。