发明名称 |
受损电介质材料和电介质膜的修复和恢复 |
摘要 |
本文描述了修复材料中的孔隙的方法,该方法包括:a)提供具有大量活性硅烷醇基团的材料;b)提供至少一种活性表面改性剂;和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。本文还描述了恢复材料中的碳的方法,该方法包括:a)提供具有大量活性硅烷醇基团的碳缺乏材料;b)提供至少一种活性表面改性剂;和c)使用所述至少一种活性表面改性剂将至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团化学封端。另外,本文还描述了减少薄膜和/或碳缺乏薄膜缩合的方法,该方法包括:a)提供具有大量活性硅烷醇基团的薄膜;b)将所述薄膜置于等离子室中;c)向等离子室中引入大量含有活性有机基团的硅烷;以及d)使所述硅烷与至少一部分所述活性硅烷醇基团发生反应。本文还描述了一类电介质材料和低介电常数的电介质材料,该材料包括:a)具有大量硅原子的无机材料;和b)大量含有有机基团的硅烷化合物,其中所述硅烷化合物通过至少一部分硅原子与所述无机材料偶联。 |
申请公布号 |
CN1742363B |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN200480002723.X |
申请日期 |
2004.01.26 |
申请人 |
霍尼韦尔国际公司 |
发明人 |
W·范;V·卢;M·托马斯;B·丹尼尔斯;T·阮;D·L·周;A·纳曼;L·金;A·巴纳普 |
分类号 |
H01L21/47(2006.01)I;H01L21/76(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/47(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
温宏艳;庞立志 |
主权项 |
一种改性材料表面的方法,该方法包括:提供具有大量活性硅烷醇基团的材料;提供至少一种活性表面改性剂,所述活性表面改性剂包括至少一种含活性有机基团的硅烷化合物;使用至少一部分所述的大量活性硅烷醇基团,将所述至少一种含活性有机基团的硅烷化合物化学封端;在所述材料上沉积金属导体;和使所述材料受到应力和热能。 |
地址 |
美国新泽西州 |