| 发明名称 | 溅射成膜方法以及溅射成膜装置 | ||
| 摘要 | 本发明的溅射成膜方法，是使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜的溅射成膜方法，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。 | ||
| 申请公布号 | CN101861410A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200980101012.0 | 申请日期 | 2009.01.21 |
| 申请人 | 株式会社爱发科 | 发明人 | 中村肇;进藤孝明;松田麻也子;石野耕司 |
| 分类号 | C23C14/35(2006.01)I | 主分类号 | C23C14/35(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人 | 罗正云;王琦 |
| 主权项 | 一种溅射成膜方法，使用在靶的背面侧配置有磁铁的磁控阴极，在所述靶的表面侧沿第一方向搬送基板，同时使所述磁铁沿所述第一方向以及与所述第一方向相反的第二方向往复移动，在所述基板上进行溅射成膜，其特征在于，使所述磁铁在所述第一方向上的移动速度与在所述第二方向上的移动速度不同，来进行溅射成膜。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||