| 发明名称 | 高电压低电流面发射LED | ||
| 摘要 | 本发明揭示一种单片LED芯片，其包括多个安装在基座上的结或子LEDs(“sub-LEDs”)。所述子LEDs串联地互连，以致于驱动所述多个子LEDs所需的电压取决于串联地互连的子LEDs的数量和所述子LEDs的结电压。本发明还揭示了单片LED芯片的制造方法，其中一种方法包括在在基座上设置单结式LED以及将所述单结式LED分成多个子LEDs。所述子LEDs然后串联地互连，以致于驱动所述子LEDs所需的电压取决于串联地互连的所述子LEDs的数量和所述子LEDs的结电压。 | ||
| 申请公布号 | CN101859758A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN201010159854.6 | 申请日期 | 2010.04.02 |
| 申请人 | 美商克立股份有限公司 | 发明人 | J·艾贝森;S·海克曼 |
| 分类号 | H01L25/13(2006.01)I;H01L33/54(2010.01)I | 主分类号 | H01L25/13(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人 | 李玲 |
| 主权项 | 一种单片LED芯片，其包括多个安装在基座上并与所述基座电绝缘的子LEDs，所述子LEDs串联地互连，以致于驱动所述多个子LEDs所需的电压取决于串联地互连的子LEDs的数量和所述子LEDs的结电压。 | ||
| 地址 | 美国北卡罗莱纳州 | ||