| 发明名称 | 半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体及半导体的形成方法与覆晶式发光二极管封装结构。其中半导体可包括一具有一第一表面的透光层；半导体可还包括一形成于透光层的第一表面上的第一掺杂层；第一掺杂层可具有多个形成于其上的第一型金属电极；半导体可还包括一形成于透光层的第一表面上的第二掺杂层；第二掺杂层可具有多个形成于其上的第二型金属电极；半导体还包括一形成于透光层的第一表面上且配置于第一掺杂层与第二掺杂层之间的主动层；第一型金属电极与第二型金属电极可以是交替排列，且每一第一型金属电极与其相邻的第二型金属电极之间的距离可实质上相等。 | ||
| 申请公布号 | CN101859849A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200910166816.0 | 申请日期 | 2009.08.31 |
| 申请人 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发明人 | 许晋源 |
| 分类号 | H01L33/00(2006.01)I;H01L27/15(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I;H01L21/50(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人 | 刘芳 |
| 主权项 | 一种半导体，包括：一透光层，具有一第一表面；一第一掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第一掺杂层具有多个形成于其上的第一型金属电极；一第二掺杂层，形成于该透光层的该第一表面上，其中该第二掺杂层具有多个形成于其上的第二型金属电极；以及一主动层，形成于该透光层的该第一表面上，且配置于该第一掺杂层与该第二掺杂层之间，其中所述多个第一型金属电极与所述多个第二型金属电极交替排列，且每一该第一型金属电极与其相邻的所述多个第二型金属电极之间的距离相等。 | ||
| 地址 | 中国台湾 | ||