| 发明名称 | 复合型相变化记录薄膜以及用以制造该薄膜的靶材与方法 | ||
| 摘要 | 一种复合型相变化记录薄膜与用以制造该薄膜的靶材，其包括一原子百分比10％至50％的含Te或含Sb相变化材料以及一原子百分比50％至90％的介电材料，上述材料构成100％的复合型相变化记录薄膜或复合靶材；本发明另包含一种用以制造该薄膜的贴靶靶材，其包括一介电材料基材以及一贴合于该介电材料基材表面的含Te或含Sb相变化材料；本发明另包含一种用以制造该薄膜的双靶共溅镀方法，其是以含Te或含Sb相变化材料靶材与介电材料靶材共同进行溅镀。 | ||
| 申请公布号 | CN101276617B | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200710090084.2 | 申请日期 | 2007.03.26 |
| 申请人 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 发明人 | 李仲仁;谢宗雍;赖元章;麦宏全 |
| 分类号 | G11B7/24(2006.01)I;G11B7/26(2006.01)I | 主分类号 | G11B7/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 逯长明 |
| 主权项 | 一种相变化记录薄膜，其特征在于：包括一原子百分比10％至50％的含Te或含Sb相变化材料以及一原子百分比50％至90％的介电材料，上述材料构成100％的相变化记录薄膜。 | ||
| 地址 | 中国台湾台南市 | ||