对非易失性存储器器件编程的方法

摘要

本发明提供一种对非易失性存储器器件编程的方法。该方法将存储器单元从一个或一个以上第一逻辑状态编程为两个或两个以上第二逻辑状态。在所述方法中，向选定字线提供编程电压的数目，并且与第二逻辑状态相对应的验证电压被提供到所述选定字线。提供到所述选定字线的编程电压的数目根据第一逻辑状态中的每个与第二逻辑状态中的每个之间的阈值电压差而变化。

主权项

一种用于对非易失性存储器器件进行编程以将存储器单元从一个或一个以上第一逻辑状态编程为两个或两个以上第二逻辑状态的方法，所述方法包括：向选定字线提供一定数目的编程电压；以及向所述选定字线提供与所述第二逻辑状态相对应的验证电压，其中，根据每个所述第一逻辑状态与每个所述第二逻辑状态之间的阈值电压差，来改变向所述选定字线提供的所述编程电压的所述数目。