一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法

摘要

本发明涉及一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，属无机半导体传感器材料制备工艺技术领域。本发明采用二水氯化亚锡(SnCl2·2H2O)和介孔二氧化硅(MCM-41)为原料，两者的用量按质量比即SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)为计量基准；先按已知现有技术制得介孔二氧化硅(MCM-41)；将SnCl2·2H2O高温熔化后与介孔二氧化硅混合，并在100℃下使其反应；然后在500～700℃下焙烧2～6小时，得到SnO2/MCM-41复合物；然后用1～3mol/L的NaOH溶液或5～10wt％的HF溶液进行处理，搅拌过夜，以除去介孔硅模板；经离心分离、洗涤；最终制得纯相SnO2气敏材料。

主权项

一种纳米二氧化锡气敏材料的制备方法，其特征在于该方法的具体步骤为：(1)将二水合氯化亚锡和介孔二氧化硅按SiO2∶SnO2＝1∶(0.315～0.629)的质量比计量；(2)将介孔二氧化硅在真空条件下100℃下活化1小时，备用；(3)将SnCl2·2H2O于100℃中熔化后，加入步骤(2)所得活化的介孔二氧化硅，快速搅拌密封，并在100℃恒温下反应12小时，得到混合物；(4)将步骤(3)所得混合物在500-700℃下焙烧2-6小时，得到二氧化锡/介孔二氧化硅复合物材料；(5)将步骤(4)所得复合物材料加入到浓度为1～3mol/L的氢氧化钠溶液或5～10wt％的HF溶液中，不断搅拌，过夜；以去除介孔二氧化碳模板；然后进行离心分离，并用去离子水和乙醇洗涤多次，烘干后即得到产物纳米二氧化锡气敏材料。