| 发明名称 | 堆栈发光二极管芯片结构及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种堆栈发光二极管芯片结构，包括：一基板，两个半导体外延层相间隔设置于该基板上；一覆晶式发光二极管芯片，设置于所述两个半导体外延层之间，且与该两个半导体外延层电连接。本发明还公开了所述堆栈发光二极管芯片结构的制造方法，提供一基板；将两个半导体外延层相分隔设置于所述基板上；及设置一覆晶式发光二极管芯片于所述两个半导体外延层之上，且使该覆晶式发光二极管芯片与所述两个半导体外延层电连接。本发明能提高固定面积下的发光面积。 | ||
| 申请公布号 | CN101859757A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200910131540.2 | 申请日期 | 2009.04.07 |
| 申请人 | 裕星企业有限公司 | 发明人 | 黄国钦;冯辉庆;潘锡明;潘宏立;朱胤丞 |
| 分类号 | H01L25/075(2006.01)I;H01L33/00(2006.01)I | 主分类号 | H01L25/075(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种堆栈发光二极管芯片结构，其特征在于，包括：一基板，两个半导体外延层相间隔设置于该基板上；一覆晶式发光二极管芯片，设置于所述两个半导体外延层之间，且与该两个半导体外延层电连接。 | ||
| 地址 | 中国香港特别行政区湾仔皇后大道东28号金钟汇中心2701室 | ||