半导体装置及其制造方法

摘要

本发明揭示一种半导体装置及其制造方法，用以制造半导体芯片与穿硅导孔(TSV)连接。所述穿硅导孔穿透一基板以供信号连线，也可提供电源和接地连线。于一实施例中，此穿硅导孔允许这些连线制作于该基板全部区域，而非仅位于该基板的周边区域。于另一实施例中，该穿硅导孔是用于一电源矩阵的一部分，以供应电源和接地穿透该基板连接至所述多个有源元件和金属化层。本发明可导致较小的整体装置面积，还可使得所述整体尺寸的限制降低。

主权项

一种半导体装置，包括：一基板，具有一第一面和对向该第一面的一第二面，该基板于该第二面上具有一周边区域和该周边区域所环绕的一内部区域；多个有源元件，位于该基板的该第一面上；一第一组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该周边区域中；以及一第二组导电孔，延伸穿透该基板，一或多个该第一组导电孔位于该内部区域中。