发明名称 |
固态图像捕捉元件及其驱动、制造方法及电子信息设备 |
摘要 |
本发明涉及固态图像捕捉元件及其驱动、制造方法及电子信息设备。根据本发明的一种固态图像捕捉元件包括设置在从光电二极管区的上部到电荷检测部的表面部分中的:第二导电性类型第一区;第二导电性类型第二区;以及第二导电性类型第三区,其一端邻近于第二导电性类型第二区且其另一端邻近于电荷检测部,其中,以形成从第二导电性类型第一区穿过第二导电性类型第二区指向第二导电性类型第三区的电场的方式来设置第一、第二和第三区的每个杂质浓度。 |
申请公布号 |
CN101859787A |
申请公布日期 |
2010.10.13 |
申请号 |
CN201010164306.2 |
申请日期 |
2010.04.09 |
申请人 |
夏普株式会社 |
发明人 |
小西武文 |
分类号 |
H01L27/146(2006.01)I;H04N5/335(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/146(2006.01)I |
代理机构 |
中国专利代理(香港)有限公司 72001 |
代理人 |
李娜;李家麟 |
主权项 |
一种固态图像捕捉元件,作为设置在半导体衬底中的单位像素部,包括:光电二极管区,其包括组成用于将光以光电方式转换成信号电荷以进行电荷积聚的光电转换和积聚部的第一导电性类型半导体区,以及用于将所述光电转换和积聚部与半导体衬底的表面分离的第二导电性类型半导体钉扎层;栅极电极,其一端邻近于第二导电性类型半导体钉扎层,其中,所述栅极电极的一端部与所述光电转换和积聚部的一端部重叠;以及作为邻近于转移栅极电极另一端的第一导电性类型漏极区的电荷检测部,所述固态图像捕捉元件进一步包括设置在从光电二极管区的上部到电荷检测部的表面部分中的:作为第二导电性类型半导体钉扎层的第二导电性类型第一区;第二导电性类型第二区,其一端邻近于第二导电性类型第一区且其被设置在光电转换和积聚部的重叠区域中;以及第二导电性类型第三区,其一端邻近于第二导电性类型第二区且其另一端邻近于电荷检测部,其中,以形成从第二导电性类型第一区穿过第二导电性类型第二区指向第二导电性类型第三区的电场的方式来设置第一、第二和第三区的每个杂质浓度。 |
地址 |
日本大阪府大阪市 |