用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法

摘要

本发明提供一种用于形成抗蚀剂图案的方法和用于制造半导体器件的方法。为了抑制在预烘焙工艺中由温度不均匀性引起的抗蚀剂图案尺寸的变化，执行在基础衬底上涂覆正型或负型的抗蚀剂、预烘焙、曝光、曝光后烘焙以及通过对抗蚀剂进行显影来形成具有预定形状的抗蚀剂。在抗蚀剂是正型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂的保护基的分离开始温度的温度执行预烘焙。在抗蚀剂是负型的情况下，以等于或高于抗蚀剂中包括的基础树脂中的交联剂的交联开始温度的温度执行预烘焙。

主权项

一种用于形成抗蚀剂图案的方法，包括：在基础衬底上涂覆正型或负型的化学放大抗蚀剂层；在所述涂覆之后，预烘焙所述抗蚀剂层；在所述预烘焙之后，曝光所述抗蚀剂层；在所述曝光之后，烘焙所述抗蚀剂层；以及在所述烘焙之后，通过显影所述抗蚀剂层，来对所述抗蚀剂层进行构图以具有预定形状；其中所述预烘焙包括：当所述抗蚀剂层具有正型时，以等于或高于所述抗蚀剂层中包括的基础树脂的保护基的分离开始温度的温度进行预烘焙；以及当所述抗蚀剂层具有负型时，以等于或高于所述抗蚀剂层中包括的基础树脂的交联剂的交联开始温度的温度进行预烘焙。