| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种半导体装置，所述半导体装置包括一基板，其具有一第一导电类型；一栅极，设置于所述基板上；一源极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近于所述栅极的一第一侧边，其中所述源极掺杂区具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；一漏极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近所述栅极的相对于所述第一侧边的一第二侧边，其中所述漏极掺杂区由交错设置的具有所述第一导电类型的多个第一掺杂区和具有所述第二导电类型多个第二掺杂区构成。 | ||
| 申请公布号 | CN101859795A | 申请公布日期 | 2010.10.13 |
| 申请号 | CN200910134833.6 | 申请日期 | 2009.04.13 |
| 申请人 | 世界先进积体电路股份有限公司 | 发明人 | 林靖民;杜尚晖;萧铭宏 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L29/10(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L27/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 任默闻 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基板，其具有一第一导电类型；一栅极，设置于所述基板上；一源极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近于所述栅极的一第一侧边，其中所述源极掺杂区具有相反于所述第一导电类型的一第二导电类型；以及一漏极掺杂区，形成于所述基板中，且邻近所述栅极的相对于所述第一侧边的一第二侧边，其中所述漏极掺杂区由交错设置的具有所述第一导电类型的多个第一掺杂区和具有所述第二导电类型多个第二掺杂区构成。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹科学工业园区 | ||